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用于检测集成电路、分立器件及Wafer等产品的抗静电能力。
主要功能:
模拟静电产生模式（即人体模式（HBM）、机器模式（MM）和闩锁模式）来检测集成电路、分立器件及Wafer等产品的抗静电能力。
主要特征：
测试针数量可达1024针 ；
HBM Voltage：0-8KV；
M M Voltage：0-4 KV；
具有Latch Up功能等。
HANWA|N5000|ESD|TEST|SYSTEM抗静电测试
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HANWA|N5000|ESD|TEST|SYSTEM抗静电测试
详细信息 用于检测集成电路、分立器件及Wafer等产品的抗静电能力。 主要功能: 模拟静电产生模式（即人体模式（HBM）、机器模式（MM）和闩锁模式）来检测集成电路、分立器件及Wafer等产品的抗静电能力。 主要特征： 测试针数量可达1024针 ； |