LOAD LOCK预真空进样室(可选) 前开门蒸发腔体 冷凝泵和干泵 4个热阻蒸发源或OLED低温蒸发源 最大6”基片 基片旋转 基片偏压(可选) 离子源清洗基片(可选) 基片加热1000度(可选) 晶振沉积速率及膜厚控制 系统手动或自动控制 良好的薄膜均匀性和重复性 可沉积金属、半导体和绝缘材料 可沉积多层膜及合金薄膜