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产品名称 | GaAs单晶 | |
掺杂剂 | Si | Zn |
载流子浓度 cm-3 | （2～50）×1017 | （2～50）×1018 |
迁移率 cm2/v.s | 1000～3500 | 50～100 |
EPD cm-2 | ＜10000 | ＜10000 |
直径 mm | 50.8±0.5, 62±0.5 | 50.8±0.5 |
主、次参考面长度 mm | 16±1、7±1 | |
厚度 µm | （260～400）±20 | |
晶向 | （100）±0.5°，（100）偏（111）A（2°～15°） | |
晶片表面状态 | 切片，研磨片，腐蚀片，抛光片 | |
TTV µm | ＜10 | |
Warp µm | ＜10 | |
供应宜捷材料P型砷化镓P型砷化镓单晶片