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Cree 新型的 Z-FET™ 碳化硅 MOSFET 具有出众的能效，应用的范围更为广泛。
Z-FET™ CMF20120D — Industry’s First SiC MOSFET (业界第一碳化硅MOSFET)
Attain record efficiencies with significant reliability improvement over competing Si devices.
VDS:1200 V RDS:80 mΩ ID(MAX):33A
High-speed switchingLow capacitancesOnly 20% increase in RDS(ON)
over operating temperature rangeEasy to parallel 在同类产品中最低的开关损耗。
能够与世界一流的效率显着较高的开关频率。
降低磁性元件和过滤器的大小显着减少冷却要求。
符合RoHS，REACH法规和卤素无兼容碳化硅MOSFET应用在电力电子
Cree的CMF20120D是能源效率是至关重要的的高电压应用的理想选择。太阳能逆变器碳化硅MOSFET的升压和逆变器的DC - AC转换器可以使用的例子。下降超过30％的SiC MOSFET的开关损耗;与Cree的碳化硅结势垒肖特基二极管相结合，整个系统的效率已经证明> 99％。