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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 描述 | TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3 |
| 产品变化通告 | Encapsulate Change 15/May/2008 Bond Wire Change 11/Nov/2011 | 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 2.2k | 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 50mA，5V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA | 频率 - 转换 | 200MHz |
| 功率 - 最大 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 产品目录页面 | 1580 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DDTD123TC-7-F-ND DDTD123TC-7-FDITR |
供应DIODES/美台DDTD123TC-7-F