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用途
*用於高壓、高速開關應用
■特征:
*低正向壓降
*較小的總電容 *用於片式封裝
*較短的反向恢複時間 *有效圖形數 90000 只左右
芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120μm
芯片厚度：180±10μm
锯片槽宽度：40μm 金屬層：正面:Al 2.3±10μm，背面:Au 1.4±10μm
電特性(Ta=25℃)
參 數 名 稱 | 符 號 | 測 試 條 件 | 最 小 | 最 大 | 典型值 | 單位 |
反向電壓 | VR | IR=0.1mA | 80 |
| 130 | V |
正向壓降 | VF（1） | IF=10mA | 1.0 | 0.67 | V | |
VF（2） | IF=100mA | 1.2 | 0.92 | V | ||
反向漏電流 | IR（1） | VR=20V | 25 |
| nA | |
IR（2） | VR=75V | 1 |
| μA | ||
總電容 | CT | VR=0, f=1MHZ | 3.0 | 2.0 | PF | |
反向恢複時間 | trr | IF=IR=10mA Irr=0.1×IR | 4.0 |
| ns |