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北京特博万德科技有限公司专业供应砷化镓晶片和晶棒。
尺寸2寸 3寸 4寸 6寸
晶向（100）（111）
类型：N type P type Undope 半绝缘
| 项目 | 单位 | 参数 |
| 产品类型 | *** | Semi-conducting |
| 生长方法 | *** | VGF |
| 掺杂剂 | *** | Si |
| 导电类型 | *** | N |
| 直径 | mm | 50.7±0.1 |
| 晶向 | *** | (100)20±0.50off toward(011) |
| 主定位边取向 | *** | EJ [0`1`1] ±0.50 |
| 副定位边取向 | *** | EJ [0`1 1] ±0.50 |
| 主定位边长度 | mm | 16±1 |
| 副定位边长度 | mm | 7±1 |
| 载流子浓度 | /cm3 | (0.4-4)×1018 |
| 电阻率 | ohm.cm | (0.8-9)×10-3 |
| 迁移率 | cm2/v.s | 2000-3000 |
| 位错密度 | /cm2 | ≤5000 |
| 厚度 | µm | 350±10 |
| TTV | µm | ≤10 |
| TIR | µm | ≤10 |
| Bow | µm | ≤10 |
| Warp | µm | ≤10 |
| 倒边 | mmR | 0.25 |
| 颗粒度 | *** | ＜50/wafer(forparticle>0.3um) |
| 激光标识 | *** | N/A |
| 抛光要求 | *** | P/E |
| 包装要求 | *** | Epi-Ready，25片包装 |
| 包装标识 | *** | SC EJ |
| 执行标准 | *** | Q/CT-007 光电子2英寸晶片A级表面合格标准 |