本溪永昇人力资源开发公司信息部

[1、] 用改进的小型区抑制何短沟道的MOS晶体管及其制造方法
[技术摘要] 本发明的方法是将第一导电型杂质注入同一导电型基片中，使在栅电极有侧壁氧化硅膜的ＭＯＳ晶体管中邻近第二导电型的源／漏区内侧边沿的限定位置处形成小型区。形成步骤为，在侧壁氧化硅膜选择性限定下，在源／漏区上形成的半导体外延层具有面对侧壁氧化硅膜且线性倾斜至其底部的侧面。用此外延层和侧壁氧化硅膜作掩模，在和基片表面法线呈一倾斜角的方向，将第一导电型杂质注入基片中邻近源／漏区内侧边沿的限定位置处。[2、] 能够抑制晶体管特性退化的制造双极晶体管的方法
[技术摘要] 在制造双极晶体管的方法中，第一绝缘层（２）、第一多晶硅层（３）、和第二绝缘层（４）依次形成在半导体衬底（１）上。然后第二绝缘层和第一多晶硅层被构图以在其中形成开口。然后，使用第二绝缘层和第一多晶硅层做掩模，过腐蚀第一绝缘层。再在整个表面上形成第二多晶硅层。对除了第一多晶硅层下面部分的第二多晶硅层之外的第二多晶硅层进行氧化工艺，用湿法腐蚀工艺去掉第二多晶硅层的氧化部分。然后第二导电型的杂质被注入到半导体衬底中以形成基区。[3、] 具有直通状态抑制功能的晶体管桥式逆变器
[技术摘要] 一种用于微型汽油发电机上的具有直通状态抑制功能的晶体管桥式逆变器，包括方波信号发生电路，过流检测及保护电路，驱动电路，桥式逆变输出电路。改进处在于增接了由电阻Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８和集成电路ＩＣ：ＬＭ３３９构成的换流延迟方波发生电路，在驱动级和桥式输出级中增接了由二极管Ｄ１－３，Ｄ４－６，Ｄ８－１１，Ｄ１２－１５，Ｄ１６－１９，Ｄ２０－２３分别构成的晶体管反向导通抑制电路，以防止对称式晶体管桥式逆变器电路中晶体管（或达林顿）的直通失效。[4、] 抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
[技术摘要]作为连接到读出电流路径上的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)用表面沟道型场效应晶体管来构成。表面沟道型场效应晶体管与埋入沟道型场效应晶体管相比，其沟道电阻低，可减轻读出电流路径的RC负载。伴随于此，可进行高速的数据读出。5-WX108735 具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法
6-WX108735 带有闩锁抑制的可调节晶体管衬底偏置发生电路
7-WX108735 带有晶体管衬底偏置的集成电路的抑制闩锁电路
8-WX108735 具有直通状态抑制功能的晶体管桥式逆变器
9-WX108735 抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
10-WX108735 具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法
11-WX108735 使用双极晶体管基极撷取的对称阻隔的瞬态电压抑制器
12-WX108735 可提供较低电压电路保护的MOS晶体管触发暂态电压抑制器
13-WX108735 用于抑制晶体管阵列中的阈值电压的布局灵敏度的方法
14-WX108735 具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法
15-WX108735 一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼扩散的方法
16-WX108735 薄膜晶体管液晶面板抑制静电破坏的金属图案化结构
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