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设备简介： 

   LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难溶金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。 

设备用于6″（Φ150mm）硅片淀积Si3N4、SiO2、Poly-Si、PSG、BPSG等薄膜生长工艺。

设备描述：

◆用工业微机对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。
◆采用进口压力控制系统，闭环控制，稳定性高。
◆采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门，确保气路气密性。
◆具有完善的报警功能及安全互锁装置。
◆具有良好的人机界面，灵活的工艺性能。

◆悬臂推拉舟采用进口丝杠。

主要技术指标：

◆适用硅片尺寸：6″（Φ150mm）

◆装片数量：25～100片/炉管

◆工作温度范围：350～1100℃

◆温区长度及精度：760mm≤±1℃/500mm

◆温度梯度：0～30℃/500mm可调

◆系统极限真空度：0.7Pa(6×10-3乇)

◆工作压力范围： 67Pa～133Pa可调

◆淀积膜种类：Si3N4、Poly-Si、SiO2

◆淀积膜均匀性：Si3N4 片内 ±5％片间 ±5％ 批间 ±5％

◆ 淀积膜均匀性：Poly-Si 片内 ±5％ 片间 ±5％ 批间 ±5％

◆淀积膜均匀性：SiO2 片内 ±5

◆适用硅片尺寸：6″（Φ150mm）

◆装片数量：25～100片/炉管

◆工作温度范围：350～1100℃

◆温区长度及精度：760mm≤±1℃/500mm

◆温度梯度：0～30℃/％ 片间 ±6％ 批间 ±6％

◆淀积膜厚度：1000～6000埃

我公司可根据客户需求定制各种非标LPCVD，CVD。