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所谓HD技术就是将铸锭或甩带片用H2处理（反应可在常温或200oC左右进行，H2压力一般小于0.3 MPa），然后于400~600oC脱氢。

吸氢反应分两步：首先在晶界富钕相进行（常温可进行），然后在一定温度下与主相Nd2Fe14B反应[1, 2]2.反应时温度可达300oC。反应机理可简单表示如下：

正是由于氢原子进入边界相及晶格内部，使钕铁硼原晶格被破坏，块状铸锭或甩带片发生膨胀，从而实现氢气破碎钕铁硼（简称 "氢破 "）。经过氢破后，一般铸锭将变成小于1mm的粉末，而甩带片一般将变成小于0.5mm的粉末。

脱氢亦分两步：首先在200~300oC钕铁硼主相脱氢，然后在350~650oC富钕相部分脱氢。脱氢机理可简单表示如下：

实际生产中一般采用400~600oC脱氢，此时脱氢不完全，氢含量一般小于2000ppm。脱氢在烧结中继续进行，第三个脱氢的主峰在约800oC，直到1000oC左右脱氢才能完全。

氢破技术的特点如下：经过氢破处理后，钕铁硼的铸锭或甩带片已变得非常疏松，经过中破，然后进气流磨或氢破后直接进气流磨。此时出粉速度是传统工艺的2~3倍，大大提高了气流磨的效率，节约了成本。氢破后不仅提高了出料速度，而且可以将钕铁硼粉磨得更细（例如2.8 ~ 3.5mm。传统工艺一般在3.8~5.0mm。），从而可以使成品磁体的晶粒尺寸达到10mm以下（传统工艺的晶粒尺寸为20 ~ 40mm）。晶粒尺寸的变小意味着矫顽力的提高，同时大大提高了磁体抗腐蚀的能力。传统工艺磁体的失重（125oC，0.2 MPa，72hrs，PCT实验）一般在150 mg/cm2，而氢破后一般小于5 mg/cm2。磁体失重减小使电镀变得容易，有利于解决长期困扰中国烧结钕铁硼的电镀问题。

本设备主要是以以上用途为基础而设计制造的外热式、旋转式氢反应设备。

在安全方面，采取了和岛津及NKE基本一样的设计，具有气体操作安全内锁系统，包括爆破盘、卸压阀（两级）、断电自动充氩保护、吸氢负压时自动充氩减缓反应等。加热脱氢为外热式，与岛津及NKE的设计不一样。动密封采取磁流体密封技术，与NKE的磁耦合技术不同。冷却为喷淋水冷风强冷式。

装炉采用快速法兰对接式，钕铁硼物料不与空气接触，装料及出料都非常简单并且防止了可能的物料氧化问题。由于采用了旋转，所以吸、脱氢彻底、均匀。