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新一代管式真空烧结炉主要用于半导体元器件及电力整流器件的烧结工艺。可进行真空烧结，气体保护烧结及常规烧结。是半导体专用设备系列中一种新颖的 工艺装备，它设计构思新颖，操作方便，结构紧凑，在一台设备上可完成多个工艺流程。亦可用于其他领域内的真空热处理，真空钎焊等工作。

真空烧结炉技术指标

u      真空室工位：3工位

u      工作温度：200℃～1000℃

u      控温精度：≤±1℃

u      恒温区长度：≥1000mm(恒温区长度可定制)

u      真空度：优于5Pa（可根据要求，确保真空度）

u      工作室内经：Φ350mm（工作室内径可定制）

u      工作方式：自动、手动

真空烧结炉特点

u      关键件全部采用进口件，具有高可靠性

u      具有可编程的升、降温功能

u      具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能

u      具有高抗干扰能力

u      具有多种工艺管路，可供用户随意灵活配置