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valanche photodiodes (APD)

 制造商：Silicon Sensor International AG

 雪崩光电二极管，具有内部增益机制。在正常的情况下，光子产生电子--空穴对，经外部施加的电压加速，通过碰撞电离将更多的电子引入导带。

 二次电子接着吸收足够的能量，将更多的电子移动到导带。从而实现几百倍的放大系数。

 APD通常被用于微弱光信号测量，和高调制频率光信号测量。

 频率可以达到大约60MHz。雪崩效应产生的噪声等级，比普通的二极管外接电子放大器要低很多。

 参考资料：典型应用：激光测距机、激光三维扫描和光通信，此外也开始被用于正电子断层摄影和粒子物理等领域。

 主要的几个性能指标为量子效率（表示APD吸收入射光子并产生原始载流子的效率）和总漏电流（为暗电流、光电流与噪声之和）。

 紫外光谱范围内应用的APD，400nm处量子效率大于70%，最高灵敏度在600nm处。通常适用于生物医学应用。

 NIR近红外光谱处应用的APD,  量子效率QE > 80%（750nm-910nm) 主要用于激光雷达系统，激光测距。

 根据我们系统开发的使用经验，我们推荐该款APD。提供NIR APD的零售和批发，和应用技术支持。

     NIR-APD参数（20伏，50欧姆，增益系数为100）：

     TO-52金属封装，通过ROHS环保评测

     上升时间为0.55ns；

     -3dB截止频率，500MHz；

     击穿电压：160-240伏；

     暗电流：0.5nA；

     探测器有效面积0.2mm2；

     有效区域尺寸：直径0.5mm 。

   资料下载：APD AD500-9 TO52英文手册

   
   选件：                                          

 雪崩光电二极管APD专用驱动电源 
  

350×305×145㎜       金属壳

 280×230×80㎜式        塑料壳