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金属包封云母电容器,可替代CDE金属包层电容

CSD型金属包封云母电容器l特点与用途该类云母电容器具有引线电感小Q值高,高频特性,高温特性和稳定性极为优异。CSD系列金属包封

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  • 产地:

    四川 成都市

  • 产品类别:

    云母电容器

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产品参数

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详情介绍

CSD型金属包封云母电容器l
特点与用途该类云母电容器具有引线电感小Q值高,高频特性,高温特性和稳定性极为优异。CSD系列金属包封云母电容器已广泛用于射频领域,特别是在射频功率放大器已经大量使用。l
使用环境温度工作温度:-55℃? 125℃l
型号,规格和电气参数型号CSD1CSD2CSD1-1CSD1-2CSD2-1CSD2-2标称容量(pF)1-1601-10050-50050-400容量精度±1pF(C≤20pF),±2%,±5%,±10%±1pF(C≤20pF),±2%,±5%,±10% ±2%,±5%,±10% ±2%,±5%,±10%工作电压(v)250500250500Q值(在IMHz)≥500≥500≥500≥500

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