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| 发货期限: 自买家付款之日起 天内发货 | 所在地: 浙江 嘉兴市 |
| 有效期至： 长期有效 | 品牌： |
详情介绍
CS1N60A1H，CS1N60A3H, CS1N60A4H 是一款硅N沟道增强型
VDMOSFETs，可降低导通损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。
晶体管可以用在各种电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。
封装形式为TO-92，TO251 TO252符合RoHS标准。
产品特点：
????快度开关
????低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
????低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
????低反向传输电容（典型：2.7pF）
????100％的单脉冲雪崩能量测试
可用于开关电源适配器和充电器
VDMOSFETs，可降低导通损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。
晶体管可以用在各种电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。
封装形式为TO-92，TO251 TO252符合RoHS标准。
产品特点：
????快度开关
????低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
????低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
????低反向传输电容（典型：2.7pF）
????100％的单脉冲雪崩能量测试
可用于开关电源适配器和充电器
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