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详情介绍
简介 2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。参数 类别：NPN-硅通用晶体管集电极-发射极电压VCEO：12V集电极-基极电压VCBO:20V发射极-基极电压VEBO:3.0V集电极直流电流IC:100mA总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW工作结温Tj:150℃贮存温度Tstg:-65~150℃电性能参数（TA=25℃）：击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0直流放大系数hFE:50~300集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)特征频率fT:7.0GHz封装：SOT-23功率特性：中功率极性：NPN型结构：扩散型材料：硅(Si)封装材料：塑料封装集电极允许电流：0.1（A）集电极最大允许耗散功率：0.2（W）
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