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VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3.1A SOT23
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY 制造商编号: SI2301CDS-T1-GE3 RoHS协从产品:是 描述晶体管极性:P Channel漏极电流, Id 最大值:-3.1A电压, Vds 最大:-20V开态电阻, Rds(on):90mohm电压 @ Rds测量:-4.5V电压, Vgs 最高:8V功耗:1.6W工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:SOT-23针脚数:3 |
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