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详情介绍
kingston 金士顿 DDR2 800 2G笔记本内存条
产品介绍：
DDR2内存是由内存工业标准组织JEDEC发展的，金士顿也是他的成员企业。DDR2内存模组虽然命名方式与现在的DDR内存模组相似，但是却因为引脚数、电压和DRAM技术的不同而不能向后兼容，相同型号的DDR2与DDR内存模组有不同的键或凹槽，来阻止他们插入不兼容的内存插槽中。
DDR2内存芯片采用Fine-pitch BGA（FBGA）芯片封装技术以改善电性能和热性能。另外，DDR2内存芯片安装有On-Die Termination（ODT）,将在高速运行下产生的反馈信号最小化，从而改进时延值。DDR2内存芯片可以达到4GB，并可组成更高容量的模组。
1.8伏运行电压，降低50％的能耗
内存芯片中内置的信号中止装置（“On-Die Termination”）阻止反馈信号的传输错误。
运作表现的增强从而提高内存性能、效率和时延值
CAS Latencies：3，4和5
400MHZ和500MHZ
kingston 金士顿 DDR2 800 2G笔记本内存条
产品介绍：
DDR2内存是由内存工业标准组织JEDEC发展的，金士顿也是他的成员企业。DDR2内存模组虽然命名方式与现在的DDR内存模组相似，但是却因为引脚数、电压和DRAM技术的不同而不能向后兼容，相同型号的DDR2与DDR内存模组有不同的键或凹槽，来阻止他们插入不兼容的内存插槽中。
DDR2内存芯片采用Fine-pitch BGA（FBGA）芯片封装技术以改善电性能和热性能。另外，DDR2内存芯片安装有On-Die Termination（ODT）,将在高速运行下产生的反馈信号最小化，从而改进时延值。DDR2内存芯片可以达到4GB，并可组成更高容量的模组。
1.8伏运行电压，降低50％的能耗
内存芯片中内置的信号中止装置（“On-Die Termination”）阻止反馈信号的传输错误。
运作表现的增强从而提高内存性能、效率和时延值
CAS Latencies：3，4和5
400MHZ和500MHZ
kingston 金士顿 DDR2 800 2G笔记本内存条
产品介绍：
DDR2内存是由内存工业标准组织JEDEC发展的，金士顿也是他的成员企业。DDR2内存模组虽然命名方式与现在的DDR内存模组相似，但是却因为引脚数、电压和DRAM技术的不同而不能向后兼容，相同型号的DDR2与DDR内存模组有不同的键或凹槽，来阻止他们插入不兼容的内存插槽中。
DDR2内存芯片采用Fine-pitch BGA（FBGA）芯片封装技术以改善电性能和热性能。另外，DDR2内存芯片安装有On-Die Termination（ODT）,将在高速运行下产生的反馈信号最小化，从而改进时延值。DDR2内存芯片可以达到4GB，并可组成更高容量的模组。
1.8伏运行电压，降低50％的能耗
内存芯片中内置的信号中止装置（“On-Die Termination”）阻止反馈信号的传输错误。
运作表现的增强从而提高内存性能、效率和时延值
CAS Latencies：3，4和5
400MHZ和500MHZ
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