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PECVD 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

型号 NPE-4000

1、 PECVD 概述：

2、 PECVD 工作原理：
 　　我们的PECVD系统能够涂覆最大直径可达8英寸的SiO2, Si3N4, or DLC薄膜基片。它用带有不规则气体分布的RF喷头电极或中空阴极RF等离子源产生等离子体。压板偏向RF或脉冲直流并且它在冷冻水循环的条件下受阻加热或冷却。腔体被抽空到空气含量很低的水平。

3、系统组成

在250升每秒的涡轮分子泵上用10-7 托的压力以支持3.5立方体每分钟的机械泵。标准单元都配备了一个惰性气体，三个活性气体输气管道和四个大流量控制器。平面中空阴极等离子源以其独特的气体分配系统中的面状的空心阴极等离子体源，使得能够满足广泛的要求，例如等离子体密度，均匀性和单独的激活反应性物质，以覆盖尽可能广泛的沉积参数。

4.　PECVD性能指标及特点

1 不锈钢或铝制腔体;

2 真空度达10-7托范围的基准压力;

3 RF喷头、HCD、ICP或微波等离子体源;

4最大直径可达12”的基片座;

5 RF偏向的基片座;

6 水冷压板;

7 高达800 °C的热压板。

8热气管道

9热液传送系统

10热液传送系统

11带有大流量控制器的一个气体运输船和三个活性气休输入装置

12带有排放盒和气体集合管的

13负载制动和自动装载卸载晶片通道

14气动控制阀

15带有虚拟仪器的电脑控制

16配方驱动，密码保护

17完全安全联锁

5.　PECVD的应用

　　1 等离子诱导表面改性

     2 等离子清洗

     3 等离子体聚合

4 SiO2, Si3N4, a-Si, DLC和其他薄膜

5碳纳米管的选择性增长

6 等离子清洗灰化系统

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