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| 有效期至： 长期有效 | 品牌： |
详情介绍
一、产品特点：
◆高精度 ◆高频 ◆高密度
◆高稳定性 ◆高可靠性
二、应用领域：
无线通信、雷达通信、卫星通信等领域。
延迟线、芯片式衰减器、滤波器、兰格耦合器、定向耦合器、螺旋电感等模块。
三、产品描述：
薄膜微波基板主要基体材料是99.6%的氧化铝陶瓷， 不同基板厚度对应的频率范围见下表。我们还可以为客户提供定制服务，如氮化铝基材和石英基材的微波基板加工。
薄膜系列产品 |
薄膜基板推荐使用方法
频率 | 推荐厚度 |
到6 GHz | 0.635 mm(25mil) |
到18 GHz | 0.381 mm(15mil) |
到40 GHz | 0.254 mm(10mil) |
超过40 GHz | 0.127 mm(5mil) |
四、技术指标：
参 数 | 典型指标 | 极限指标 | 备 注 |
线宽/线间距 | ≥50μm | 10μm | 最高可达±2.5μm |
通孔尺寸 | ≥500μm | 250μm | 激光切割 |
图形留边量 | ≥127μm | 50μm | 激光或砂轮划片 |
电阻精度 | ≤±10% | ±0.1% | 激光修调（中阻） |
五、质量保障：
l 产品出线前经过目检、附着力、可焊性、键合、剪切等一系列检验和评价条件。
l 产品每12个月做《质量一致性检验》；
l 产品满足GJB 2438或MIL-PRF-38534或顾客标准。
一、产品特点
◆宽阻值范围 ◆高精度 ◆高跟踪系数
◆低温度系数 ◆小尺寸 ◆多种封装形式
◆高稳定性 ◆高可靠
二、应用领域
航天，航空，医疗，传感器。
高精度薄膜电阻及电阻网络，广泛应用于小信号电路、对体积要求很严，对精度和温度特性要求非常高的电路。如：轴角数字转换电路、高精度基准源、放大器电路、功率电路、医疗传感器。
三、产品描述
薄膜系列产品 |
精密薄膜电阻（电阻网络）是一种具有高阻值跟踪精度和微小体积的芯片式薄膜电阻（电阻网络）。具有阻值精高度、电阻温度系数小、噪声小和长期稳定性好等优点，适用于航天、航空、植入人体医疗器件等领域。精度最高可达±0.01%，温度跟踪系数最高可达±0.02%，可按客户需求定制任意阻值，采用芯片表贴、陶瓷外壳封装、包封封装等形式封装。
四、技术参数
1、芯片式薄膜电阻的选用阻值系列参考表
尺寸 | 功率范围 | 阻值范围 | 电阻温度系数 | 精度 | |
微晶片电阻 | 硅片电阻 | ||||
1.0×1.0 | ≤25mW | ≤100mW | 100Ω—80KΩ | ±25--±5 | ±0.1% -- ±0.01% |
1.6×0.8 | ≤28mW | ≤112mW | 80KΩ—100KΩ | ±25--±5 | ±0.1% -- ±0.01% |
2.0×1.25 | ≤50mW | ≤200mW | 100KΩ—200KΩ | ±25--±5 | ±0.1% -- ±0.01% |
3.2×1.6 | ≤90mW | ≤360mW | 200KΩ—1MΩ | ±25--±5 | ±0.1% -- ±0.01% |
2、精密薄膜电阻及电阻网络主要技术参数
精密 电阻 | 电阻材料 | 镍铬 | 温度系数TCR(ppm/℃)：±25--±5 |
氮化钽 | 温度系数TCR(ppm/℃)：-100---50 | ||
衬底材料 | 微晶玻璃 硅片 氧化铝陶瓷 | ||
精度 | ±0.1% -- ±0.01% | ||
钝化层结构 | SiO2+NSi3 SiO2 NSi3 | ||
尺寸 | 0404、0603、0805、1206等常用规格 | ||
阻值范围 | 10Ω—1MΩ | ||
功率 | 25 mW –100 mW | ||
温度系数 | ±5ppm ±10ppm ±25ppm | ||
适用温度范围 | -65℃--150℃ | ||
精密 电阻 网络 | 精度 | ±0.1% -- ±0.02% | |
相对精度 | ±0.02% | ||
温度跟踪系数精度 | ±0.02%--±0.05% | ||
尺寸 | 按具体图纸设计 | ||
封装形式 | 可按客户需求采用芯片表贴、陶瓷外壳封装等 | ||
温度系数 | ±5ppm ±10ppm ±25ppm | ||
适用温度范围 | -65℃--150℃ | ||
抗静电能力 | 1500V-2000V | ||
3、电阻负荷下降曲线 ：
薄膜系列产品 |
五、可靠性保证
该产品执行GJB920、GJB548、GJB2438或MIL-PRF-83401标准，满足国军标相关条款要求，电阻特性见下表：
项目 | 标准要求 | 测试方法 |
功率老炼 | ΔR≤±0.5%（对测量误差允许附加0.01Ω） | 额定功率接通1.5h断开0.5h，100 h 25℃ |
低温工作 | ΔR≤±0.1%（对测量误差允许附加0.01Ω）； | -65℃，保温1 h，工作45min |
短时间过载 | ΔR≤±0.1%（对测量误差允许附加0.01Ω）； | 2.5倍额定电压，5±1s |
高温暴露 | ΔR≤±0.1%（对测量误差允许附加0.01Ω）； | 125℃±5℃，100±4h |
温度循环 | ΔR≤±0.25%（对测量误差允许附加0.01Ω）； | -65℃--125℃，循环10次 |
低温贮存 | ΔR≤±0.1%（对测量误差允许附加0.01Ω）； | -65℃，保温24h |
寿命 | ΔR≤±0.1%（对测量误差允许附加0.01Ω）； | 1000h 70℃额定功率接通1.5h断开0.5h |
注：ΔR=薄膜电阻的阻值变化率
l 产品出线前经过目检、附着力、可焊性、键合、剪切等一系列检验和评价条件。
l 产品每12个月做《质量一致性检验》；
l 产品满足GJB 2438或MIL-PRF-38534或顾客标准。
一、产品特点：
◆高精度 ◆高频响 ◆低驻波
◆高稳定性 ◆高可靠性
二、应用领域：
薄膜衰减器广泛应用于微波通讯、精密测量仪器、通讯负载等领域。包括大功率、高精度、步进式衰减片等。
三、产品描述：
薄膜衰减器基板主要基体材料是99.6%的氧化铝陶瓷，不同基板厚度对应的频率范围。我们还可以为客户提供定制服务，如氮化铝基材和氧化铍的衰减片加工。
四、技术指标：
1、功率衰减片
适用频率 | 特性阻抗 | 驻波 | 工作温度 |
功率 | |
DC～12GHz | 50±1Ω | ≤1.3 | -55～125℃ | 25W |
衰减量精度：
衰减量 | 工作频率 | 衰减精度 |
1～10dB 20dB 30dB | DC～12GHz | ±0.3dB ±0.5dB ±0.5dB |
衰减量可根据客户订制需要作设计调整。
2、高精度衰减片
适用频率 | 特性阻抗 | 驻波 | 工作温度 | 功率 |
DC～26GHz | 50±1Ω | ≤1.2 | -55～125℃ | 2W |
衰减量精度：
衰减量 | 工作频率 | 衰减精度 |
1～10dB 12dB 15dB 20dB 30dB | DC～26GHz | ±0.3dB ±0.3dB ±0.3dB ±0.5dB ±0.5dB |
衰减量可根据客户订制需要作设计调整。
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